Una investigación conjunta entre el Centro de Física de Materiales de San Sebastián y la Universidad Tecnológica de Pekín ha identificado un semiconductor innovador que podría revolucionar el almacenamiento de información digital. Se trata de un avance clave para desarrollar dispositivos de memoria más eficaces, baratos y resistentes a fallos eléctricos.
El equipo de investigación ha trabajado sobre la ferrita de bismuto, modificando su estructura atómica para mejorar sus propiedades magnéticas y electrónicas. Esta mejora permite crear memorias RAM capaces de conservar los datos incluso cuando se produce un apagón, algo que no ocurre con la memoria dinámica (DRAM), común en la mayoría de ordenadores actuales.
Según explican desde el Centro de Física de Materiales —dependiente del CSIC y la Universidad del País Vasco—, este descubrimiento podría abrir la puerta a sistemas de almacenamiento de bajo consumo energético, mayor capacidad y alta resistencia ante fallos eléctricos.